BSC030P03NS3GAUMA1

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MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON

Número de pieza NOVA:

312-2282873-BSC030P03NS3GAUMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSC030P03NS3GAUMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

P-Channel 30 V 25.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Número de producto base	BSC030
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	25.4A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.1V @ 345µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±25V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	14000 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Otros nombres	BSC030P03NS3GAUMA1TR BSC030P03NS3 GCT-ND BSC030P03NS3 GDKR BSC030P03NS3 GDKR-ND BSC030P03NS3 GCT BSC030P03NS3G BSC030P03NS3 G-ND BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3 GTR-ND BSC030P03NS3GAUMA1DKR SP000442470 BSC030P03NS3GAUMA1CT