IAUT165N08S5N029ATMA2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF

Número de pieza NOVA:

312-2280510-IAUT165N08S5N029ATMA2

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IAUT165N08S5N029ATMA2

Embalaje estándar:

2,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-1
Número de producto base	IAUT165
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	165A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.8V @ 108µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6370 pF @ 40 V
Disipación de energía (máx.)	167W (Tc)
Otros nombres	IAUT165N08S5N029ATMA2-ND IAUT165N08S5N029ATMA2TR IAUT165N08S5N029ATMA2DKR INFINFIAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029 IAUT165N08S5N029CT 2156-IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029CT-ND IAUT165N08S5N029TR IAUT165N08S5N029DKR IAUT165N08S5N029ATMA2CT IAUT165N08S5N029TR-ND SP001585162 IAUT165N08S5N029DKR-ND