IPT059N15N3ATMA1

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MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF

Número de pieza NOVA:

312-2283612-IPT059N15N3ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPT059N15N3ATMA1

Embalaje estándar:

2,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 150 V 155A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-1
Número de producto base	IPT059
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	155A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	5.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 270µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7200 pF @ 75 V
Disipación de energía (máx.)	375W (Tc)
Otros nombres	SP001100162 2156-IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1DKR IPT059N15N3ATMA1CT IPT059N15N3 IPT059N15N3ATMA1TR -IPT059N15N3ATMA1 IFEINFIPT059N15N3ATMA1