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P-Channel 40 V 40A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK+ | |
Número de producto base | TJ40S04 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | U-MOSVI | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 40A (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 83 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Máx.) | +10V, -20V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4140 pF @ 10 V | |
Disipación de energía (máx.) | 68W (Tc) | |
Otros nombres | TJ40S04M3L(T6L1NQ TJ40S04M3LT6L1NQ |
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