TJ60S06M3L(T6L1,NQ

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MOSFET P-CH 60V 60A DPAK

Número de pieza NOVA:

312-2303634-TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Embalaje estándar:

2,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK+
Número de producto base	TJ60S06
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	U-MOSVI
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	60A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	156 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	+10V, -20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7760 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	100W (Tc)
Otros nombres	TJ60S06M3L(T6L1NQ TJ60S06M3LT6L1NQ