BSS159NH6327XTSA2

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MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

Número de pieza NOVA:

312-2264925-BSS159NH6327XTSA2

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSS159NH6327XTSA2

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT23
Número de producto base	BSS159
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	SIPMOS®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	230mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.4V @ 26µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	1.4 nC @ 5 V
Función FET	Depletion Mode
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	39 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	360mW (Ta)
Otros nombres	BSS159NH6327XTSA2DKR BSS159NH6327XTSA2TR SP000919328 BSS159NH6327XTSA2CT