BSP149H6906XTSA1

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MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

Número de pieza NOVA:

312-2263436-BSP149H6906XTSA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSP149H6906XTSA1

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Número de producto base	BSP149
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	SIPMOS®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	660mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1V @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	14 nC @ 5 V
Función FET	Depletion Mode
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	430 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	1.8W (Ta)
Otros nombres	BSP149H6906XTSA1TR BSP149H6906XTSA1CT 2156-BSP149H6906XTSA1 INFINFBSP149H6906XTSA1 SP001058604 BSP149H6906XTSA1DKR