IRLD110PBF

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MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Número de pieza NOVA:

312-2264209-IRLD110PBF

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IRLD110PBF

Embalaje estándar:

100

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	4-HVMDIP
Número de producto base	IRLD110
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	540mOhm @ 600mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	6.1 nC @ 5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (Máx.)	±10V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	250 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	1.3W (Ta)
Otros nombres	*IRLD110PBF