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IRFD110
1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Número de pieza NOVA:
312-2268932-IRFD110
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFD110
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Harris Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| Número de producto base | IRFD110 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 600mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 180 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.3W (Ta) | |
| Otros nombres | 2156-IRFD110 HARHARIRFD110 |
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