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P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 | |
Número de producto base | SPP18P06 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | SIPMOS® | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 18.7A (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.2A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-220-3 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 860 pF @ 25 V | |
Disipación de energía (máx.) | 81.1W (Ta) | |
Otros nombres | SPP18P06P G-ND IFEINFSPP18P06PHXKSA1 SPP18P06P H SPP18P06PH 2156-SPP18P06PHXKSA1 SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P H-ND |
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