SPD18P06PGBTMA1

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MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Número de pieza NOVA:

312-2361603-SPD18P06PGBTMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SPD18P06PGBTMA1

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Número de producto base	SPD18P06
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	SIPMOS®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	18.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	860 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	80W (Tc)
Otros nombres	SPD18P06P G SPD18P06P G-ND SPD18P06P GTR-ND SPD18P06P GCT-ND SPD18P06P GDKR-ND SPD18P06PGBTMA1DKR SPD18P06P GDKR SPD18P06PGBTMA1CT SPD18P06P GCT SPD18P06PG SPD18P06PGBTMA1TR SP000443926