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P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | 6-UDFNB (2x2) | |
Número de producto base | SSM6J501 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | U-MOSVI | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 15.3mOhm @ 4A, 4.5V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 29.9 nC @ 4.5 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | 6-WDFN Exposed Pad | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2600 pF @ 10 V | |
Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) | |
Otros nombres | SSM6J501NULF(TTR SSM6J501NU,LF(B SSM6J501NULF(TDKR SSM6J501NULFCT SSM6J501NU,LF(A SSM6J501NULF SSM6J501NULF(TDKR-ND SSM6J501NULF(TCT SSM6J501NULFDKR SSM6J501NULF(TTR-ND SSM6J501NU,LF(T SSM6J501NULF(TCT-ND SSM6J501NULFTR |
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