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SSM6J507NU,LF
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Número de pieza NOVA:
312-2282633-SSM6J507NU,LF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SSM6J507NU,LF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 30 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-UDFNB (2x2) | |
| Número de producto base | SSM6J507 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVI | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20.4 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | +20V, -25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1150 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.25W (Ta) | |
| Otros nombres | SSM6J507NU,LF(T SSM6J507NU,LF(B SSM6J507NULFTR SSM6J507NULFDKR SSM6J507NULFCT |
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