TPH1R306PL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Número de pieza NOVA:
312-2294625-TPH1R306PL1,LQ
Número de parte del fabricante:
TPH1R306PL1,LQ
Embalaje estándar:
5,000

Formato de descarga disponible

N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP Advance (5x5.75)
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieU-MOSIX-H
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 1.34mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / Caja8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8100 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Otros nombres264-TPH1R306PL1LQTR
264-TPH1R306PL1LQCT
264-TPH1R306PL1LQDKR
TPH1R306PL1,LQ(M

In stock Por favor contáctenos

Whatsapp

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.