TPH2R306NH1,LQ

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UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ

Número de pieza NOVA:

312-2296259-TPH2R306NH1,LQ

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

TPH2R306NH1,LQ

Embalaje estándar:

5,000

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP Advance (5x5.75)
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	U-MOSVIII-H
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	136A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6100 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	800mW (Ta), 170W (Tc)
Otros nombres	264-TPH2R306NH1LQDKR TPH2R306NH1,LQ(M 264-TPH2R306NH1,LQTR 264-TPH2R306NH1LQCT