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FDD86110
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2282661-FDD86110
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDD86110
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
| Número de producto base | FDD861 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta), 50A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 10.2mOhm @ 12.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2265 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.1W (Ta), 127W (Tc) | |
| Otros nombres | FDD86110CT FDD86110TR FDD86110-ND ONSONSFDD86110 FDD86110DKR 2156-FDD86110-OS |
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