FDMC5614P

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MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP

Número de pieza NOVA:

312-2282650-FDMC5614P

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FDMC5614P

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-MLP (3.3x3.3)
Número de producto base	FDMC5614
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	PowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1055 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Otros nombres	FDMC5614PDKR FDMC5614PCT FDMC5614PTR