SIS410DN-T1-GE3

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MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Número de pieza NOVA:

312-2280357-SIS410DN-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIS410DN-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Número de producto base	SIS410
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1600 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Otros nombres	SIS410DN-T1-GE3DKR SIS410DN-T1-GE3-ND SIS410DNT1GE3 SIS410DN-T1-GE3TR SIS410DN-T1-GE3CT