SIS412DN-T1-GE3

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MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

Número de pieza NOVA:

312-2280958-SIS412DN-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIS412DN-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Número de producto base	SIS412
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	435 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Otros nombres	SIS412DN-T1-GE3CT SIS412DN-T1-GE3DKR SIS412DNT1GE3 SIS412DN-T1-GE3TR