SI7431DP-T1-E3

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MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

Número de pieza NOVA:

312-2298003-SI7431DP-T1-E3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI7431DP-T1-E3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 200 V 2.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SI7431
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	174mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Disipación de energía (máx.)	1.9W (Ta)
Otros nombres	SI7431DP-T1-E3DKR SI7431DP-T1-E3CT SI7431DP-T1-E3TR SI7431DPT1E3