SQJ431AEP-T1

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SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

Número de pieza NOVA:

312-2288081-SQJ431AEP-T1_GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SQJ431AEP-T1_GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SQJ431
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	9.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	305mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3700 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	68W (Tc)
Otros nombres	SQJ431AEP-T1_GE3TR SQJ431AEP-T1_GE3CT SQJ431AEP-T1_GE3DKR