SI2312CDS-T1-GE3

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MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3

Número de pieza NOVA:

312-2282589-SI2312CDS-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI2312CDS-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 20 V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número de producto base	SI2312
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	18 nC @ 5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	865 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Otros nombres	SI2312CDS-T1-GE3TR SI2312CDS-T1-GE3DKR SI2312CDST1GE3 SI2312CDS-T1-GE3CT