SI2312BDS-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Número de pieza NOVA:

312-2280362-SI2312BDS-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI2312BDS-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 20 V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número de producto base	SI2312
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	31mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	850mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Disipación de energía (máx.)	750mW (Ta)
Otros nombres	SI2312BDS-T1-GE3TR SI2312BDST1GE3 SI2312BDS-T1-GE3CT SI2312BDS-T1-GE3DKR