BSC098N10NS5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 60A TDSON

Número de pieza NOVA:

312-2282827-BSC098N10NS5ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSC098N10NS5ATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 60A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-7
Número de producto base	BSC098
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	9.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.8V @ 36µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2100 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Otros nombres	BSC098N10NS5ATMA1CT BSC098N10NS5ATMA1DKR BSC098N10NS5ATMA1TR SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1-ND