BSC109N10NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1

Número de pieza NOVA:

312-2282783-BSC109N10NS3GATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSC109N10NS3GATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Número de producto base	BSC109
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	63A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	10.9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 45µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2500 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	78W (Tc)
Otros nombres	BSC109N10NS3 G-ND BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC109N10NS3 GCT-ND BSC109N10NS3GATMA1TR BSC109N10NS3 G SP000778132 BSC109N10NS3 GDKR BSC109N10NS3 GDKR-ND BSC109N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC109N10NS3G BSC109N10NS3 GCT BSC109N10NS3GATMA1CT BSC109N10NS3GATMA1DKR BSC109N10NS3GXT BSC109N10NS3 GTR-ND