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SIHH070N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
Número de pieza NOVA:
312-2289742-SIHH070N60EF-T1GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIHH070N60EF-T1GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 600 V 36A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Número de producto base | SIHH070 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | EF | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 71mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2647 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 202W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SIHH070N60EF-T1GE3CT 742-SIHH070N60EF-T1GE3DKR 742-SIHH070N60EF-T1GE3TR |
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