SIJH112E-T1-GE3

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MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK

Número de pieza NOVA:

312-2279785-SIJH112E-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIJH112E-T1-GE3

Embalaje estándar:

2,000

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 8 x 8
Número de producto base	SIJH112
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8050 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	3.3W (Ta), 333W (Tc)
Otros nombres	742-SIJH112E-T1-GE3DKR 742-SIJH112E-T1-GE3TR 742-SIJH112E-T1-GE3CT