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N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-HSMT (3.2x3) | |
Número de producto base | RQ3E120 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 12A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1500 pF @ 15 V | |
Disipación de energía (máx.) | 2W (Ta) | |
Otros nombres | RQ3E120BNTBCT RQ3E120BNTBDKR RQ3E120BNTBTR |
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