RQ3E120GNTB

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MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT

Número de pieza NOVA:

312-2264923-RQ3E120GNTB

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

RQ3E120GNTB

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Número de producto base	RQ3E120
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	590 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	2W (Ta), 16W (Tc)
Otros nombres	RQ3E120GNTBTR RQ3E120GNTBCT RQ3E120GNTBDKR