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N-Channel 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23F | |
Número de producto base | SSM3K357 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | π-MOSV | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 650mA (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 5V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1.5 nC @ 5 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | SOT-23-3 Flat Leads | |
Vgs (Máx.) | ±12V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60 pF @ 12 V | |
Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) | |
Otros nombres | SSM3K357RLFDKR SSM3K357RLFTR SSM3K357RLFCT |
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