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SSM3K2615TU,LF
MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Número de pieza NOVA:
312-2285064-SSM3K2615TU,LF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SSM3K2615TU,LF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | UFM | |
| Número de producto base | SSM3K2615 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | π-MOSV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 3-SMD, Flat Leads | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 800mW (Ta) | |
| Otros nombres | SSM3K2615TULFDKR SSM3K2615TU,LF(B SSM3K2615TULFCT SSM3K2615TULFTR SSM3K2615TULF SSM3K2615TULF(B |
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