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PMZB670UPE,315
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Número de pieza NOVA:
312-2265064-PMZB670UPE,315
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PMZB670UPE,315
Embalaje estándar:
10,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 20 V 680mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN1006B-3 | |
| Número de producto base | PMZB670 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 680mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 400mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1.14 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 3-XFDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 87 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) | |
| Otros nombres | 568-10845-2 568-10845-2-ND 568-10845-1 568-10845-1-ND 568-10845-6 PMZB670UPE,315-ND 1727-1380-1 1727-1380-2 934065872315 568-10845-6-ND 1727-1380-6 |
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