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SI3139KL3-TP
MOSFET P-CH 20V 660MA DFN1006-3
Número de pieza NOVA:
312-2298724-SI3139KL3-TP
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI3139KL3-TP
Embalaje estándar:
10,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 20 V 660mA (Ta) 100mW Surface Mount DFN1006-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Micro Commercial Co | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN1006-3 | |
| Número de producto base | SI3139 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 150mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.1V @ 250µA | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SC-101, SOT-883 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 113 pF @ 16 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 100mW | |
| Otros nombres | 353-SI3139KL3-TPTR |
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