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N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
Número de producto base | IPB083 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 73A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 75µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3980 pF @ 50 V | |
Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) | |
Otros nombres | IPB083N10N3 GDKR-ND IPB083N10N3G IPB083N10N3 G IPB083N10N3GATMA1DKR SP000458812 IPB083N10N3GATMA1TR IPB083N10N3 GDKR IPB083N10N3 GCT IPB083N10N3 G-ND IPB083N10N3 GCT-ND IPB083N10N3GATMA1CT IPB083N10N3 GTR-ND |
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