IPB042N10N3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Número de pieza NOVA:

312-2263267-IPB042N10N3GATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPB042N10N3GATMA1

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Número de producto base	IPB042
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	117 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8410 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	214W (Tc)
Otros nombres	IPB042N10N3GATMA1TR IPB042N10N3 G-ND IPB042N10N3GATMA1CT IPB042N10N3G IPB042N10N3 GCT-ND IPB042N10N3 GTR-ND IPB042N10N3 GDKR IPB042N10N3GATMA1DKR IPB042N10N3 GDKR-ND IPB042N10N3 GCT SP000446880 IPB042N10N3 G