NDS332P

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MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

Número de pieza NOVA:

312-2282016-NDS332P

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

NDS332P

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

P-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Número de producto base	NDS332
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	5 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	195 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	500mW (Ta)
Otros nombres	NDS332PCT FAIFSCNDS332P NDS332P-ND NDS332PTR 2156-NDS332P-OS NDS332PCT-NDR NDS332PDKR NDS332PTR-NDR