NDS356AP

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MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3

Número de pieza NOVA:

312-2284989-NDS356AP

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

NDS356AP

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Número de producto base	NDS356
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	1.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	200mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	4.4 nC @ 5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	280 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	500mW (Ta)
Otros nombres	NDS356APDKR NDS356APCT-NDR NDS356APTR NDS356APCT 2156-NDS356AP-OS FAIFSCNDS356AP NDS356APTR-NDR