IPD35N10S3L26ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31

Número de pieza NOVA:

312-2281545-IPD35N10S3L26ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPD35N10S3L26ATMA1

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Número de producto base	IPD35N10
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.4V @ 39µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2700 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	71W (Tc)
Otros nombres	IPD35N10S3L26ATMA1CT IPD35N10S3L-26-ND IPD35N10S3L-26 SP000386184 IPD35N10S3L26ATMA1DKR INFINFIPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1TR 2156-IPD35N10S3L26ATMA1