IPD30N10S3L34ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

Número de pieza NOVA:

312-2280899-IPD30N10S3L34ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPD30N10S3L34ATMA1

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Número de producto base	IPD30N10
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	31mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.4V @ 29µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1976 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	57W (Tc)
Otros nombres	IPD30N10S3L-34TR IPD30N10S3L-34DKR IPD30N10S3L34ATMA1DKR IPD30N10S3L-34CT-ND IPD30N10S3L34 SP000261248 IPD30N10S3L-34DKR-ND IPD30N10S3L34ATMA1CT IPD30N10S3L-34 IPD30N10S3L-34TR-ND IPD30N10S3L-34CT IPD30N10S3L-34-ND IPD30N10S3L34ATMA1TR