FDS6680AS

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Número de pieza NOVA:
312-2287685-FDS6680AS
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDS6680AS
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
Número de producto base FDS6680
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SeriePowerTrench®, SyncFET™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / Caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1240 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta)
Otros nombresFDS6680ASTR
FDS6680AS-ND
FDS6680ASCT
FDS6680ASDKR

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