BSC123N10LSGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON

Número de pieza NOVA:

312-2281549-BSC123N10LSGATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSC123N10LSGATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 10.6A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Número de producto base	BSC123
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	10.6A (Ta), 71A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.4V @ 72µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4900 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	114W (Tc)
Otros nombres	BSC123N10LS GTR-ND BSC123N10LSGATMA1CT BSC123N10LS GDKR BSC123N10LS GDKR-ND BSC123N10LS G BSC123N10LS GTR BSC123N10LS G-ND BSC123N10LS GCT-ND BSC123N10LS GCT BSC123N10LSGATMA1DKR BSC123N10LSGATMA1TR SP000379612