GB01SLT12-252

DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

Número de pieza NOVA:

287-2355355-GB01SLT12-252

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

GB01SLT12-252

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 1A Surface Mount TO-252

More Information
Categoría	Diodos - Rectificadores - Simples
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252
Número de producto base	GB01SLT12
Serie	SiC Schottky MPS™
Corriente - Media Rectificada (Io)	1A
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento: unión	-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F	69pF @ 1V, 1MHz
Corriente - Fuga inversa @ Vr	2 µA @ 1200 V
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si	1.8 V @ 1 A
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)	1200 V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Otros nombres	1242-1126-ND 1242-1126-6 1242-1126-2 1242-1126 1242-1126-1 GB01SLT12252

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