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Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 1A (DC) Surface Mount DO-214AA
Categoría | Diodos - Rectificadores - Simples | |
Fabricante | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | DO-214AA | |
Número de producto base | GB01SLT06 | |
Serie | SiC Schottky MPS™ | |
Corriente - Media Rectificada (Io) | 1A (DC) | |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB | |
Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C | |
Capacitancia @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz | |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10 µA @ 6.5 V | |
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 2 V @ 1 A | |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | |
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 650 V | |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns | |
Otros nombres | 1242-1166-2 1242-1166-1 1242-1166-6 GB01SLT06214 |
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