SIS443DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
NOVA-Teilenummer:
312-2281798-SIS443DN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIS443DN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 40 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Basisproduktnummer SIS443
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferPowerPAK® 1212-8
Vgs (Max)±20V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4370 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Andere NamenSIS443DN-T1-GE3DKR
SIS443DN-T1-GE3CT
SIS443DN-T1-GE3TR

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