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N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
Basisproduktnummer | SIS412 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchFET® | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.8A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 435 pF @ 15 V | |
Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) | |
Andere Namen | SIS412DN-T1-GE3CT SIS412DN-T1-GE3DKR SIS412DNT1GE3 SIS412DN-T1-GE3TR |
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