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G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
NOVA-Teilenummer:
312-2283971-G2R50MT33K
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
G2R50MT33K
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
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N-Channel 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-4 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | G2R™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 63A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA (Typ) | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 340 nC @ 20 V | |
| FET-Funktion | Standard | |
| Paket/Koffer | TO-247-4 | |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 3300 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7301 pF @ 1000 V | |
| Verlustleistung (max.) | 536W (Tc) | |
| Andere Namen | 1242-G2R50MT33K |
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