SIR692DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2282805-SIR692DP-T1-RE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIR692DP-T1-RE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 250 V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer SIR692
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieThunderFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 7.5 V
FET-Funktion-
Paket/KofferPowerPAK® SO-8
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)250 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1405 pF @ 125 V
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Andere NamenSIR692DP-T1-RE3CT
SIR692DP-T1-RE3TR
SIR692DP-T1-RE3DKR

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Whatsapp

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.