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P-Channel 20 V 30A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-HSMT (3.2x3) | |
Basisproduktnummer | RQ3C150 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 15A, 4.5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
Vgs (Max) | ±8V | |
FET-Typ | P-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4800 pF @ 10 V | |
Verlustleistung (max.) | 20W (Tc) | |
Andere Namen | RQ3C150BCTBDKR RQ3C150BCTBCT RQ3C150BCTBTR |
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