SISH407DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2274308-SISH407DN-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SISH407DN-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 20 V 15.4A (Ta), 25A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8SH
Basisproduktnummer	SISH407
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	15.4A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	93.8 nC @ 8 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8SH
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2760 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	3.6W (Ta), 33W (Tc)
Andere Namen	SISH407DN-T1-GE3TR SISH407DN-T1-GE3DKR SISH407DN-T1-GE3CT