SI3459BDV-T1-GE3

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MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP

NOVA-Teilenummer:

312-2281567-SI3459BDV-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI3459BDV-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 60 V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-TSOP
Basisproduktnummer	SI3459
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	2.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	350 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 3.3W (Tc)
Andere Namen	SI3459BDV-T1-GE3CT SI3459BDVT1GE3 SI3459BDV-T1-GE3DKR SI3459BDV-T1-GE3TR